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韩国光子学技术研究所Myungwoo Son第一作者--用于后端兼容的高性能互连铜-石墨烯异质结构
       本文中,作者通过在Cu互连层上直接合成石墨烯,来制备Cu-石墨烯异质结构互连层,从而提高了其性能。采用常压化学气相沉积(APCVD)方法,在400°C下,以液态苯或吡啶为源,在铜互连图上合成了多层石墨烯薄膜。与纯Cu互连相比,石墨烯封盖的Cu互连表现出更低的电阻率,更高的击穿电流密度和更高的可靠性。此外,通过掺杂来增加石墨烯的载流子密度,从而在3 MA cm-2的连续直流应力,100°C,平均失效时间大于106 s的情况下,大大提高了石墨烯覆盖互连的可靠性。此外,石墨烯封端的铜异质结构,即使是镶嵌结构中也表现出增强的电性能和可靠性,这表明与诸如CMOS后端(BEOL)中的下一代互连材料之类的实际应用兼容。
 
  
Fig. 1 石墨烯封装铜互连的特性。
 
  
Fig. 2 铜互连上的N掺杂石墨烯的特性。
 
  
Fig. 3 石墨烯封端的铜异质结构的互连性能.
 
 
Fig. 4铜-石墨烯互联的特性。
 
        相关研究成果于2021年由韩国光子学技术研究所Myungwoo Son第一作者,发表在npj 2D Materials and Applications(https://doi.org/10.1038/s41699-021-00216-1)上。原文:Copper-graphene heterostructure for back-end-of-line compatible high-performance interconnects。

转自《石墨烯杂志》公众号

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