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江南大学Yanfeng Jiang等--用于自供电紫外-近红外宽带光电探测器的还原氧化石墨烯/Se微管p–p异质结
      基于高载流子迁移率的还原氧化石墨烯(RGO)的宽带(UV–vis–NIR)光电探测器(PD)有潜力扩大光学器件的应用。在本报告中,通过简单的旋涂方法制备了新的p–p Se/RGO异质结,该异质结与RGO纳米片和高度结晶的p型硒微管(Se-MT)相结合。最大长度为3mm的Se-MT有利于以低成本沉积电极。RGO层的带隙由低温退火的氧化石墨烯(GO)纳米片控制。Se/RGO PD和Se/GO PD都表现出自供电特性,在宽的UV–NIR波长范围(280–1000 nm)内具有良好的响应性、检测率和开/关比。与纯Se-MT PD(11.8 mA W–1和1.09×109 jones)相比,Se/RGO PD的响应度(168.1 mA W–2)和比探测率(1.48×1011 jones)分别提高了14倍和135倍,尤其是在没有施加偏压的368 nm处。Se/RGO PD的开/关比为1049,每个周期的快速响应速度为18μs/4.76ms。值得注意的是,Se/RGO PD和Se/GO PD在1000 nm照射下的响应度分别为19.5和12.1 mA W–1,分别是Se-MT PD(0.05 mA W–2)的390和242倍。由于RGO层的光学吸收增强,带隙对准改善,从而在Se/RGO异质结处提供高内建场,最终成功分离电荷载流子,因此在UV–NIR波长范围内已经证明了出色的自供电操作。这一发现为具有独立检测功能的高性能宽带设备显示了巨大的前景。

 
图1. Se/GO、Se/RGO异质结光电探测器的制备工艺。

 
图2. (a)侧视图下的Se-MT和(b)高放大率下的SEM图像;(a)的插图照片是单个超长Se-MT。(c)Se-MT的截面SEM图像。SEM图像(d–f)Se/GO和(g–i)Se/RGO。

 
图3. (a)Se/GO和(b)Se/RGO的EDS图谱。Se-MT、Se/GO、Se/RGO、GO和RGO的XRD图谱(c)、UV–vis–IR吸收光谱(d)和拉曼光谱(e)。

 
图4. Se/RGO的I–V特性曲线(a)和(b)Se/GO。Se/RGO(c)和Se/GO(d)在零偏压下不同波长的I–t曲线。Se/RGO(e)和Se/GO(f)在0V偏压下的单脉冲响应周期随上升和衰减时间的变化。

 
图5. 在368 nm(0.52 mW cm–2)下,0 V偏压下不同强度的Se/RGO PD(a)和Se/GO PD(c)的I–t曲线,对应的幂律拟合图(b)和(d)。

 
图6.(a) Se-MT-PD在0.2V偏压下的响应性和比探测率(b),以及Se/RGO和Se/GO PD在零偏压下的反应性和比检测率(b)。接触前(c)Se/RGO PD和(d)Se/GO PD的能带图。(e)Se/RGO PD和(f)Se/GO PD在光照下的能带示意图。
 
        相关研究成果由江南大学Yanfeng Jiang等人2024年发表在ACS Applied Nano Materials (链接:https://doi.org/10.1021/acsanm.3c05878)上。原文:Reduced Graphene Oxide/Se Microtube p–p Heterojunction for Self-Powered UV–NIR Broadband Photodetectors

转自《石墨烯研究》公众号
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