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中国科学院金属研究所Wencai Ren团队--通过水调控实现均匀单层氧化石墨烯的高产率、低成本可持续电化学合成
       随着石墨烯产业的迅猛发展,低成本可持续地合成单层氧化石墨烯(GO),对于诸如水脱盐、热管理、储能以及功能复合材料等众多应用而言,愈发重要。与传统化学氧化方法相比,石墨插层化合物(GIC)的水电解氧化在环境友好性、安全性和效率方面展现出显著优势,但却存在氧化不均匀的问题,通常产率约为50 wt.%,且单层产物占比约50%。在此,作者的研究表明,水诱导的GIC脱插层作用是导致水电解氧化法氧化不均匀的原因。通过原位实验,揭示了控制GIC电化学氧化和脱插层过程的水扩散控制原理。基于这些原理,我们开发了一种液膜电解方法,以精确控制水扩散,从而在氧化与脱插层之间实现动态平衡,使得能够以高产率(约180 wt.%)和极低的成本(约为Hummers法的1/7)实现均匀单层GO的工业化可持续合成。此外,该方法能够精确控制GO的结构,并且可以使用纯水合成GO。这项工作为理解水在石墨电化学反应中的作用提供了新的视角,为GO的工业化应用铺平了道路。
 
 
Fig 1. 一级硫酸插层石墨化合物(SA - GIC - I)吸水导致的脱插层现象(DIWA)及其对电化学(EC)氧化合成的氧化石墨烯(GO)薄片性能的影响。新合成的SA - GIC - I的照片(a,蓝色区域);在空气中吸水后脱插层的SA - GIC(b,浅灰色区域,于20 ℃、湿度70 % 的空气中放置50分钟);在水中吸水后脱插层的SA - GIC(c,深灰色区域,在水中浸泡5秒)。d 为(a - c)中所示样品对应的X射线衍射(XRD)图谱。比较SA - GIC - I在不同湿度空气中脱插层所需时间(e)以及在不同硫酸(SA)浓度的硫酸水溶液中脱插层所需时间(f)。通过对一级、二级和三级SA - GIC进行乳液电解氧化合成的GO薄片的性能:(g)拟合后的X射线光电子能谱(XPS),其中虚线表示对应不同碳结合模式的解卷积峰;(h)拉曼光谱;(i)紫外 - 可见(UV - Vis)光谱。比例尺:(a)1 cm;(b)1 cm;(c)1 cm。
 
 
Fig 2. 电化学氧化过程中 SA - GIC - I 阳极的吸水脱插层(DIWA)与水电解氧化(OWE)的原位研究。a 原位实验装置示意图。b 装置 I:乳液电解,时间序列照片展示了 SA - GIC - I 的逐步水电解氧化过程。c 装置 II:使用少量硫酸水溶液电解质进行局部接触电解,时间序列照片展示了 SA - GIC - I 的逐步吸水脱插层过程。d 装置 III:使用适量硫酸水溶液电解质进行局部接触电解,时间序列照片展示了快速且均匀的电化学氧化过程。e 装置 IV:浸没在过量硫酸水溶液电解质中进行电解,时间序列照片展示了吸水脱插层速率快于水电解氧化速率,导致氧化不均匀。f 从(b - e)中标注区域获取的拉曼光谱。水扩散速率对氧化电压(g)和硫酸浓度(h)的依赖关系。比例尺:(b)200 微米;(c)100 微米;(d)100 微米;(e)100 微米。
 
 
Fig 3. 通过液膜电解(LME)高产率合成均匀的氧化石墨烯(GO)。a 基于溶解性和密度差异,硫酸(SA)、四氯化碳(CCl₄)、硫酸/水(SA/Water)和石蜡油(PA)的分层现象(静置1个月,左图)。b 基于溶剂分层的SA - GIC - I的液膜电解氧化。c 通过液膜电解合成的GO水溶液。傅里叶变换红外光谱(FTIR)对比(d)、拟合后的X射线光电子能谱C1s精细谱(其中虚线表示对应不同碳结合模式的解卷积峰)(e),以及通过液膜电解(EGO)和Hummers法(HGO)合成的GO的拉曼光谱对比(f)。扫描电子显微镜(SEM)图像(g)、原子力显微镜(AFM)图像(h)、透射电子显微镜(TEM)图像及相应的选区电子衍射(SAED)图案(插图)(i)、EGO的层数分布(j)和横向尺寸分布(k)。(h)中的插图是沿白色线条获取的EGO薄片的高度轮廓。l 雷达图对比现有水电解氧化法(黑色)、Hummers法(蓝色)和液膜电解法(红色),其中稳定性以zeta电位的绝对值衡量。比例尺:(a)1厘米;(b)1厘米;(c)1厘米;(g)10微米;(h)2微米;(i)2微米(插图,51 nm⁻¹)。
 
 
Fig 4. 通过液膜电解(LME)调控氧化石墨烯(GO)的结构与性能。a 在不同氧化电压下合成的GO样品,其横向尺寸、碳氧比(C/O)与zeta电位之间的关系。b 在2.8 V氧化电压下,不同硫酸浓度合成的GO片层,其碳氧比、单层占比与zeta电位之间的关系。在2.8 V氧化电压下使用纯水合成的GO的表征:(c) zeta电位(插图为GO分散液);(d) 偏光光学显微镜(POM)图像;(e) 原子力显微镜(AFM)图像。在2.8 V氧化电压下使用质量分数30%硫酸合成的GO的表征:(f) zeta电位(插图为GO分散液);(g) POM图像;(h) AFM图像。比例尺:(c) 5厘米(插图);(d) 500微米;(e) 10微米;(f) 5厘米(插图);(g) 500微米;(h) 10微米。


Fig 5. 通过液膜电解(LME)实现均匀氧化石墨烯(GO)的工业化生产。a 工业液膜电解设备的照片。b 工业液膜电解设备中使用的石墨纸卷。c 由工业液膜电解设备生产的氧化石墨纸,呈现出明显的黄色。d 工业液膜电解设备在3天内生产出500千克(质量分数1.2%)的氧化石墨烯分散液。e 液膜电解法与Hummers法工业化生产氧化石墨烯的关键参数对比。比例尺:(a) 50厘米;(b) 20厘米;(c) 20厘米;(d) 20厘米。
 
        相关研究工作由中国科学院金属研究所Wencai Ren团队于2025年发表在《Nat. Commun》期刊上,Control of water for high-yield and low-cost sustainable electrochemical synthesis of uniform monolayer graphene oxide.原文链接: https://doi.org/10.1038/s41467-025-56121-4

转自《石墨烯研究》公众号
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