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德国科学家使用石墨烯提高霍尔传感器敏感性

      来自德国RWTH大学和AMO GmbH亚琛工业的研究人员利用单层石墨烯组装了一种高度敏感的霍尔效应传感器。在室温下石墨烯的载流子迁移率非常高和非常低的载体密度使它成为一种材料，一种可以超越所有当前现有的霍尔传感器技术的材料。
 
       研究人员为了保护石墨烯免于环境污染通过用六角氮化硼层进行封装。因此组装成的器件显示电压和当前的电流灵敏度分别达到3 V/VT和5700 V/AT。这些数值超过了一个数量级以上在硅器件实现同样的功能上和两倍以上的数值达到最好的III/V半导体霍尔传感器在周围环境条件下。此外，这项研究结果远比早些时候报道的石墨烯霍尔传感器在氧化硅和碳化硅基板上要好的多。


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