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科学家利用离子注入法在硅表面制造石墨烯

       来自韩国大学的研究人员已经开发了一种简单和微电子兼容的方法来生长石墨烯，并且公开宣布成功在硅基板上合成晶圆级（直径为4英寸）、高质量和多层的石墨烯。方法是基于一个离子注入技术，该过程中是离子在加速电场下被加速，轰击半导体基体。受影响的离子被改变了物理、化学或半导体等的电学性质。

      离子注入技术在半导体材料中通常用于引入杂质。在这个过程中，碳离子在一个电场加速下，被轰击到一个分层的表面，该表面由镍、二氧化硅和硅在500摄氏度的温度下形成。镍层具有高溶碳性，被作为催化剂合成石墨烯。


转自石墨烯网www.graphenes.net
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