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奥斯马尼亚大学Dasari Ayodhya课题组--硫化铜和还原氧化石墨烯封装的硫化铜纳米复合材料中电导率和介电行为的温度和频率依赖性研究
      在这项工作中,我们通过铜和氧化石墨烯(GO)之间明显的氧化还原转化反应,无需任何添加剂,就可以一步合成还原氧化石墨烯(rGO)封装的硫化铜(CuS)纳米复合材料,开发出一种简单而低成本的策略。制备的CuS和rGO封装的CuS纳米复合材料已通过各种物理化学技术进行了表征,以观察其形状、形态和结构。它揭示了具有六边形结构的合成样品的平均尺寸在10–30 nm范围内。紫外可见吸收光谱暴露了CuS的强吸收峰,并且在NIR范围内观察到了rGO封装的CuS复合材料。合成的样品在很宽的频率范围内(102-106 Hz)显示出高介电常数和电导率。还研究了温度对合成的rGO封装的CuS纳米复合材料电导率的影响。优异的导电性能归因于CuS和rGO之间的协同作用。随着温度的升高,rGO封装的CuS复合材料的最大电导率在高温下呈指数增长。具有高介电常数和导电性的复合材料是高电容的有前途的材料,此外,它还用作超级电容器和储能应用的电极材料。 

Figure 1. (a)CuS NPs和(b)rGO封装CuS复合材料的SEM图像;(c)CuS NPs和(d-f)rGO封装CuS复合材料的HR-TEM图像;(g)rGO封装CuS复合材料的直方图
 

Figure 2.CuS NP和rGO封装CuS复合物的TGA热分析图
 
 
Figure 3. 室温下合成的CuS NPs和rGO封装CuS复合材料的(a)介电常数和(b,c)阻抗的频率相关性;(d)Cole-Cole图
 

Figure 4. 不同温度下,合成的CuS纳米颗粒的(a,b)阻抗的频率依赖性和(c,d)Cole-Cole图

 
Figure 5. 合成的rGO封装CuS复合材料,在不同温度下的(a,b)阻抗的频率依赖性和(c,d)Cole-Cole图
 

Figure 6. 在不同频率下,(a)rGO封装CuS复合材料和(b)CuS纳米颗粒的电导率(σ)的温度依赖性;rGO封装CuS复合材料和CuS纳米颗粒,在不同温度下的(c)活化能的评估以及(d)电导率行为
 
     相关研究成果于2019年由奥斯马尼亚大学Dasari Ayodhya课题组,发表在Mater. Res. Express(https://doi.org/10.1088/2053-1591/aafe55)上。原文:Investigation of temperature and frequency dependence of electrical conductivity and dielectric behavior in CuS and rGO capped CuS nanocomposites。
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