本文中，我们证明了嵌有Cs的双分子层石墨烯，可作为承载高电子质量量子阱态的应变Cs薄膜生长的基底。Cs膜以fcc相生长，其晶格常数显著降低，为4.9Å，与本体Cs相比，压缩应变为11%。我们利用角分辨光发射光谱法研究了其电子结构，并在二维空间中显示了无质量Dirac和大型Schrödinger电荷载流子的共存。通过对大量载流子的电子自能的分析，揭示了实现二维费米气体的晶体学方向。我们的工作介绍了在夹层Dirac上应变金属量子阱的生长。
 
 
Fig. 1 双层石墨烯/ Ir(111)的表征。
 
 
Fig. 2 Cs蒸发后双层石墨烯/Ir(111)的表征。
 
  
Fig. 3 带结构计算与ARPES实验的比较。
 
 
Fig. 4 量子阱态的自能分析。
 
      相关研究成果于2020年由德国科隆大学Alexander Grüneis课题组，发表在Nature Communications(https://doi.org/10.1038/s41467-020-15130-1)上。原文：Massive and massless charge carriers in an epitaxially strained alkali metal quantum well on graphene
 
摘自《石墨烯杂志》公众号：