在变形蜂窝状网格中，通过使用排列的耦合微波谐振器阵列，我们实验观察到了整个分频过程中伪朗道能级从消失到大伪磁场强度的形成。通过利用所有场强中，与伪朗道水平兼容的几何形状中的自适应设置，可以实现此结果。所采用的方法使我们能够在光谱上观察到完整形成的“平带”伪朗道能级，成为状态光子密度中的尖峰，并在空间上对相关的波函数进行成像，在此我们为特征性结点结构提供了清晰的证据，反映了基础低能理论中以前难以捉摸的超对称性。特别地，我们解决了异常第0个伪朗道层的全子晶格极化，这揭示了在无应变情况下与之字形边缘状态的深层联系。
  Fig. 1 实验装置。
 
 
Fig. 2 朗道级的形成。
 
 
Fig. 3 超对称节点结构。
 
     相关研究成果于2020年由法国尼斯物理研究所Fabrice Mortessagne课题组，发表在Light: Science & Applications (https://doi.org/10.1038/s41377-020-00351-2)上。原文：Observation of supersymmetric pseudo-Landau levels in strained microwave graphene。

摘自《石墨烯杂志》公众号：