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美国布朗大学Indrek Külaots课题组--通过局部热剥落控制石墨烯纳米片薄膜的孔结构和电导率
       热剥离是一种生产石墨烯纳米片有效且可扩展的方法,石墨烯纳米片通常还会重新组装或与其它材料混合以形成新的宏观“石墨烯基材料”。热剥离还可以应用到一些宏观的石墨烯基材料上,制造内部孔隙,但是这种工艺形式尚未得到广泛研究,并且很容易导致原始铸件几何形状的破坏。这里,探索了如何局部热剥离氧化石墨烯(GO)多层纳米片薄膜,以至于控制平面,纹理化和限制GO薄膜的孔结构和电导率。当仪器设定的加热速率为100 K/min或更高时,GO薄膜会爆炸性剥落,薄膜的几何形状彻底破坏。这里,还证实了一种新颖的方法,可以生产出具有高电导率和微孔结构的大尺寸完整rGO薄膜。在250°C时局部剥离过程中,夹在惰性板之间的GO前驱体薄膜,可以生产得高电导率和孔隙率的柔性材料,该材料保留了原始铸件的宏观结构。
 
 
Figure 1. a)不同厚度的GO薄膜的光学图像。2b)和2c)1周期平面自立式GO膜的SEM图像。膜厚约2mm。
 
 
Figure 2. a)在TGA中以10 K/min的加热速率进行平面GO膜热剥离。发生剥离反应时不会发生爆炸性的热失控反应。2b)和2c)分别为3毫米厚和9毫米厚的GO薄膜和rGO薄膜的XRD图。注意,GO原子层间距大约为0.85 nm,rGO层间距约0.36 nm。2d)~3f)在TGA中以10 K/min剥离的rGO膜的高倍和低倍SEM图像。
 
 
Figure 3. a)平面GO和rGO薄膜的FTIR光谱。 在TGA中于250°C和750°C温度下以10 K/min加热速率剥离GO膜。 3b)GO和rGO薄膜的XPS光谱。 C/O原子比显示了平面GO薄膜的部分剥离。
 
 
Figure 4. 二维示意图呈现了氧化石墨烯膜热剥离的四种情况,产生了不同的形态和物理性质。
 
        该研究工作由美国布朗大学Indrek Külaots课题组于2020年发表在Carbon期刊上。原文:Controlling pore structure and conductivity in graphene nanosheet films through partial thermal exfoliation。

转自《石墨烯杂志》公众号

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