AB堆叠双层石墨烯（BLG）在光电器件领域具有广阔的应用前景。化学气相沉积（CVD）是用于制备BLG的重要方法，但在双层之间未观察到明确的堆叠方向。除AB堆叠外，还存在许多可能严重影响BLG性能的无序堆叠方向。在本文中，我们报告了一种通过高压环境控制反向转移CVD-BLG堆叠方向的方法。我们发现通过增加高压釜中溶剂的温度，BLG的方向可以从弱耦合堆叠变为AB堆叠。在石墨烯上生长的MoS₂晶粒证实了BLG的堆叠方向变化。认为在高压环境下BLG中各层之间的距离减小可以解释所观察到的取向变化。反向传输可以轻松修改BLG的堆叠方向。提出的高压辅助方法为制备AB叠层BLG引入了新途径，可用于调整其他二维材料的叠层方向。
 
  
Figure 1. CVD获得的双层石墨烯（BLG）的拉曼表征。（a）具有不同堆叠方向的单层石墨烯（SLG）和BLG的拉曼光谱。（b）BLG二维带的洛伦兹曲线拟合。（c1-c3）、（d1-d3）和（e1-e3）在传统传输后，GRDR-BLG、AB堆叠的BLG和WC-BLG的I_G和I_2D峰以及I_G/I_2D的拉曼映射。比例尺：2mm。
 
  
Figure 2. 反向转移石墨烯的示意图
 
 
Figure 3. 样品的I_G/I_2D比随温度和时间的变化
 
  Figure 4. I_G和I_2D峰值以及弱耦合BLG的I_G/I_2D的拉曼映射。（a1-a3）未经高压处理。（b1-b3）经过高压处理。比例尺：2μm
 
 
Figure 5. 双层石墨烯中的电子带结构和旋转
 
      相关研究成果于2021年由中国科学院Guanghui Yu课题组，发表在Carbon（doi.org/10.1016/j.carbon.2020.10.026）上。原文：Conversion of the stacking orientation of bilayer graphene through high-pressure treatment。

转自《石墨烯杂志》公众号