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澳大利亚昆士兰科技大学Ziqi Sun课题组与吉林大学Wei Han课题组--具有超快离子传输的强耦合二维过渡金属硫化物-MXene-碳质纳米带异质结构,用于促进钠/钾离子存储
       结合二维(2D)纳米材料的优势,MXenes在下一代可充电电池中显示出巨大的潜力。与其他二维材料类似,MXenes 通常存在严重的自堆叠、低容量和不满意的耐用性,尤其是对于较大的钠/钾离子,影响了它们的实用价值。在这项工作中,设计了一种由过渡金属硒化物(MSe、M = Cu、Ni和Co)、MXene 纳米片和具有超快离子传输特性的富氮碳质纳米带(CNRibs)自组装的新型三元异质结构,用于缓慢的钠离子传输。离子(SIB)和钾离子(PIB) 电池。受益于不同的化学特性,带正电荷的MSe通过静电吸附固定在带负电的羟基(-OH) 功能化的 MXene表面上,而真菌衍生的CNRib通过氨基桥接和氢键与MXene的另一侧键合。这种独特的基于MXene的异质结构可防止2D材料的重新堆叠,增加内在的电导率,最重要的是,提供了超快的界面离子传输途径和额外的表面和界面存储位点,从而提高了SIB和PIB中的高速存储性能。
 
  
Figure 1. 前体材料和由过渡金属硒化物、Ti3C2Tx MXene和真菌衍生的富氮碳质纳米带(MSe-MXene-CNRib)组成的异质结构的形态表征:(a)黑曲霉衍生的碳质纳米带的SEM图。(b)少层Ti3C2Tx MXenes的SEM图。(c)MXene@fungus衍生的碳质纳米带的SEM图。Cu1.75Se-MXene-CNRib的(d)SEM图和(e)放大图。(f)Cu1.75Se-MXene-CNRib的STEM元素映射。(g)Cu1.75Se-MXene-CNRib 的TG-DSC曲线。(h)Cu1.75Se-MXene-CNRib、NiSe2-MXene-CNRib和CoSe2-MXene-CNRib的氮吸附-解吸等温线和(i)孔径分布。
 
 
Figure 2.前体材料和由过渡金属硒化物、Ti3C2Tx MXene和真菌衍生的富氮碳质纳米带(MSe-MXene-CNRib)组成的异质结构的结构表征:(a-b)Cu1.75Se-MXene-CNRib,(c-d)NiSe2-MXene-CNRib和(e-f)CoSe2-MXene-CNRib的TEM和HRTEM图。(g-i)Cu1.75Se-MXene-CNRib、NiSe2-MXene-CNRib和CoSe2-MXene-CNRib的元素映射
 
  
Figure 3.前体材料和由过渡金属硒化物、Ti3C2Tx MXene和真菌衍生的富氮碳质纳米带(MSe-MXene-CNRib)组成的异质结构的成分分析:(a)Ti3C2Tx、Cu1.75Se-MXene-CNRib、NiSe2- MXene-CNRib和CoSe2-MXene-CNRib的XRD图。(b)黑曲霉、CNRib、MXene-CNRib和Cu1.75Se-MXene-CNRib的FTIR 结果。(c)黑曲霉、CNRib和MXene-CNRib的拉曼位移。(d)CNRib和Cu1.75Se-MXene-CNRib的高分辨率C 1 s XPS光谱。(e)原始Ti3C2Tx MXene和Cu1.75Se-MXene-CNRib的高分辨率Ti 2p XPS光谱
 
  
Figure 4. MSe-MXene-CNRib异质结构的电化学Na离子存储性能:对于(a)Cu1.75Se-MXene-CNRib、(b)NiSe2-MXene-CNRib和(c)CoSe2-MXene-CNRib,前三个循环在 0.2 mV s-1 扫描速率下的CV曲线。某些特定充放电循环的GCD曲线:(d)Cu1.75Se-MXene-CNRib、(e)NiSe2-MXene-CNRib和(f)CoSe2-MXene-CNRib。(g)0.1 A g-1时的倍率性能和循环稳定性。(h)1.0 A g−1时的循环稳定性。
 
 
Figure 5.(a)用于储钠的Cu1.75Se-MXene-CNRib负极的充放电曲线。(b)Cu1.75Se-MXene-CNRib在特定电位下的XRD图谱。(c)在特定电位下Cu1.75Se-MXene-CNRib 的Na元素映射。不同充电/放电阶段的(d)非原位Cu元素的 LMM高分辨俄歇电子能谱和(e)Se 3d的高分辨XPS光谱。
 
  
Figure 6.对过渡金属硒化物和真菌衍生的富N碳纳米带(MSe-MXene-CNRib)组成的异质结构进行电化学测量的Na+的动态特性:(a)Cu1.75Se-MXene-CNRib在不同扫描速率下的CV曲线。(b)Cu1.75Se-MXene-CNRib的峰值电流与各种扫描速率之间的线性对数关系。(c)Cu1.75Se-MXene-CNRib 在1.0 mV s-1 时的CV曲线,带有阴影区域的是指赝电容占的比例。(d)MSe-MXene-CNRib纳米杂化物在不同扫描速率下容量贡献比。(e)Cu1.75Se-MXene-CNRib的GITT电位曲线和相应的Na离子扩散率与MSe-MXene-CNRib样品的钠化/脱钠状态.
 
 
Figure 7. Cu1.75Se-MXene-CNRib 异质结构的电化学K离子存储性能:(a)前三个循环的CV曲线,扫描速率为0.2 mV s-1。(b)不同扫描速率下的CV曲线。(c)峰值电流与各种扫描速率之间的线性对数关系。(d)扫描速率为1.0 mV s−1时的CV曲线,带有虚线区域是赝电容占的比例。(e)扩散控制和赝电容过程的标准化容量贡献率。(f)倍率性能,(g)在0.1和1.0 A g-1下的循环性能。(h)GITT和相应的DK值。
 
  
Figure 8. 由过渡金属硒化物和真菌衍生的富氮碳质纳米带(MSe-MXene-CNRib) 组成的异质结构中Na/K吸附和扩散的理论计算:(a)吸附Na的原始MXene、Cu1.75Se-MXene- CNRib、NiSe2-MXene-CNRib和CoSe2-MXene-CNRib的态密度。 (b)计算的Cu1.75Se-MXene-CNRib、NiSe2-MXene-CNRib和CoSe2-MXene-CNRib 中最稳定的Na吸附位点的吸附能。(c)Na吸附的Cu1.75Se-MXene-CNRib、NiSe2-MXene-CNRib和CoSe2-MXene-CNRib的电荷密度差异。(d)Cu1.75Se和Ti3C2O2@N掺杂碳层间Na/K扩散的能量分布。
 
        相关研究成果由澳大利亚昆士兰科技大学Ziqi Sun课题组与吉林大学Wei Han课题组于2021年发表在《Nano-Micro Letters》(https://doi.org/10.1007/s40820-021-00623-5)上。原文:Strongly Coupled 2D Transition Metal Chalcogenide‑MXene‑Carbonaceous Nanoribbon Heterostructures with Ultrafast Ion Transport for Boosting Sodium/Potassium Ions Storage。

转自《石墨烯杂志》公众号

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