将具有高导电性的银纳米线(Ag NWs)引入石墨烯骨架，显著增强了其电磁屏蔽性能。然而，Ag NWs制备过程复杂、产率低，以及物理自组装法制备的石墨烯与Ag NWs之间相互作用较弱，限制了其电磁屏蔽应用。在此，采用石墨烯诱导策略用于原位合成石墨烯/银纳米复合材料，期间不需要卤化物离子的其他成核剂和形态剂。石墨烯的O=C-O基团提供了成核位点使银核结合。重要的是，具有氧官能团的石墨烯作为一个“Ag⁺” 池，可以储存和释放大量的Ag⁺，在Ag NWs的生长期间连续供Ag⁺，并抑制过度成核。得益于三维导电网络的高电阻损耗，所得石墨烯/银纳米线涂层表现出显著的电磁屏蔽效能（76.59分贝）。该工作为高性能电磁屏蔽材料提供了广阔的前景。
 
  
Figure 1. 石墨烯诱导的银纳米线和银纳米粒子的制备过程图解(a)。纯银、G400/Ag和G3000/Ag的XRD图谱(b)和UV-vis吸收光谱(c)。G400/Ag和G3000/Ag的TG曲线(d)和Ag含量(e)。
 
 
Figure 2. G400/Ag (a-b)和Ag NWs(c)在不同放大倍数下的SEM图。G400/Ag的元素分布图(d)。G3000/Ag和纯银在不同放大倍数下的SEM图（e-g）。G3000/Ag的元素分布图(h)。G400/银的TEM 和HRTEM图（i-k）。
 
 
Figure 3.G400在成核过程中于不同放大倍率下，分别在25°C ( a-c)，60°C (d-f)，120°C (j-l)和160°C（m-o）时的TEM图像。
 
  
Figure 4．G400和G3000的XRD图谱(a)、FT-IR光谱(b)、UV-vis吸收光谱(c)和比表面积(d)。纯AgNO3、G400/AgNO3和g 3000/ AgNO3溶液的ζ电势(e)。（f-i）XPS光谱。(j-m)各种基团的优化结构。(n)各种基团的Bader电荷转移。Ag原子与带有C=O-O基团的石墨烯的电荷密度差。所有基团的吸附能(p)和银与氧的距离(q)。
 
  
Figure 5．（a，b）G400/Ag涂层屏蔽前后手机信号演示图。G400/Ag和G3000/Ag涂层在3.94~5.99 GHz频率范围内的SE_T(c)、SE_R(d)、SE_A(e)和T(f)。
  
       该研究工作由韩国东国大学首尔校区Hyun Jung课题组于2021年发表在Carbon期刊上。原文：A one-step graphene induction strategy enables in-situ controllable growth of silver nanowires for electromagnetic interference shielding
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转自《石墨烯杂志》公众号