华东理工大学陈彧教授课题组和新加坡国立大学E.T. Kang教授课题组联合发表在Appl. Phys.Lett. 上的论文（Liu, G.,Zhuang, X., Chen, Y.*, Zhang, B., Zhu, J., 
Zhu, C.-X., Neoh, K.-G. & Kang, E.-T.* Bistable electrical switching and electronic memory 
effect in a solution-processable graphene oxide-donor polymer complex. Appl. Phys. Lett. 2009，95, 253301） 被 Nature Publishing Group-Asia Materials 在2010年4月19日以Graphene composites: On and off为标题突出介绍（HIGHLIGHT）。 原文如下：
 
NPG Asia Materials research highlight | doi:10.1038/
asiamat.2010.61
Published online 19 April 2010
http://www.natureasia.com/asia-materials/highlight.php?id=649 4/22/2010
Graphene composites: On and off
Graphene is well known for its excellent electronic 
properties,but perfection is not always what’s needed. 
For example, the ability to control a material’s charge 
transport properties through external means is 
essential for electronic devices, but
this is difficult to achieve in graphene.
More opportunities for controlling charge transport are 
offered by its oxide form, graphene oxide (GO). The 
carbonyl and carboxyl groups at the edge of a GO 
plane can be functionalized with other molecules, thus 
allowing the physical properties of the sheet to be 
controlled. A clear example is the recent work by a 
joint team of scientists from the National University of 
Singapore and East China University of Science and 
Technology(Ref.1), who report bistable electrical conductivity 
switching in a device based on a graphene oxide–polymer complex.
The team functionalized graphene oxide with poly(N-vinylcarbazole) (PVK) and placed the resulting films 
within aluminum and indium–tin oxide contacts. The conductivity of the as-fabricated device, initially relatively low, increased 
gradually with the application of a negative-voltage sweep. When a bias of −2 V was reached, 
the conductivity jumped up by three orders of 
magnitude. This ‘on’ state was maintained during 
either negative or positive biased sweeping until a 
voltage of +3 V was applied, at which point the 
conductivity dropped back to the initial ‘off’ state. 
This ‘on–off’ transition process can be repeated several times, 
demonstrating that the GO–PVK film could be used as a two-state electronic memory element.
The team used model calculations to explain these 
observations, and found that PVK coats the GO 
sheets and acts as a tunneling barrier for electrons 
moving from one GO sheet to another. When a bias 
voltage of−2 V is applied, electrons are injected from 
the peripheral molecules of PVK to the central GO 
plane, enhancing its conductivity. The process is 
perfectly reversible, as the application of a high 
enough positive voltage can induce the reverse 
transfer of electrons, reducing the conductivity back 
to its initial value.
“As it can be processed in solution, GO–PVK provides great opportunities for device fabrication 
at low cost and with ease. With the excellent electrical,
 mechanical and thermal properties of graphene, this 
bistable switching behavior makes GO–PVK a promising alternative or supplement to present 
silicon-based semiconductor technology,” says team member 
Gang Liu.
---------------------
Recommend article
Reference
1. Liu, G.,Zhuang, X., Chen, Y.*, Zhang, B., Zhu, J., 
Zhu, C.-X., Neoh, K.-G. & Kang, E.-T.* Bistable electrical switching and electronic memory 
effect in a solution-processable graphene oxide-donor polymer complex. Appl. Phys. Lett. 95, 253301 
(2009). | article
Fig. 1: Schematic (left) and photo (right) the
GO-PVK-based device. ITO, indium tin oxide.