石墨烯可以看做一种零带隙半导体，这种特性可以把它看做金属。而金属-半导体可以构成的三极管结构。引入石墨烯-半导体构造的三极管变成为可能。传统的是控制Schottky势垒，这篇论文《Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier》便调控石墨烯势垒graphene barristor(GB)，通过调整栅极电压来控制墨烯势垒graphene barristor(GB)（在石墨烯-硅界面上，宽度仅2nm），实现了大的调制电流（开/关比10的5次方）。
文章通过调节石墨烯的功函数，从来调节势垒的高度达到0.2eV，并由此导致二极管门电压大的移动。并且他们制作了一个150mm的晶片，并结合互补的p型和n型GBs，制作出具有逆变器和半加器的逻辑电路。