二硫化氢HfS2
HfS2是一种间接带隙为2eV的半导体材料。预测单层二硫化氢的直接带隙为1.2eV。这些层是通过范德瓦尔斯相互作用堆叠在一起,并可以剥离成薄的2D层。HfS 2属于过渡金属双卤代烷类(TMDC)。
晶体尺寸: ~10mm
电学性能: 半导体
晶体结构: 六边形(Hexagonal)
单位单元参数: a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120°
纯度:>99.995 %
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价格:10000元/盒
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