2H硒化铟In2Se3
2H In2Se3(α相)是一种半导体。这些层是通过范德瓦尔斯相互作用堆叠在一起,并可以剥离成薄的2D层。α-In2Se3属于过渡后金属双卤代烃-13族。
晶体尺寸: ~8-10mm
电学性能: 半导体
晶体结构: 六边形(Hexagonal)
单位单元参数: a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
纯度:>99.995 %
http://hqgraphene.com/In2Se3.php
价格:10000元/盒