2H二硫化钼MoS2
MoS2(2h相)是一种间接带隙为1.2eV的半导体。 单层MoS2的带隙为1.8eV~。 例如,二硫化钼被用作光电探测器和晶体管。 这些层通过vanderWaals相互作用堆积在一起,可以剥离成薄的2d层。 MoS2属于VI族过渡金属双卤代烷(TMDC)。
晶体尺寸: ~10mm
电学性能: 半导体
晶体结构: 六边形(Hexagonal)
单位单元参数: a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
纯度:>99.995 %
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价格:10000元/盒
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