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Graphenea石墨烯场效应晶体管mGFET-4P

4*4芯片,用于传感应用,也与液体介质中的测量兼容。


·生长方法:CVD合成
·聚合物辅助转移
·模具尺寸:4 mm x 4 mm
·切屑厚度:525μm
·每个芯片的通道数:28
·栅极氧化物厚度:90 nm
·栅极氧化物材料:SiO2
·衬底电阻率:1-10Ω·cm
·金属化:Au触点
·封装:200 nm基于谷氨酰胺的聚合物
·石墨烯场效应迁移率:>1000 cm2/V.s
·狄拉克点(PBS中的液体门控):<1 V
·收益率:>75%

资料下载:Graphenea mGFET_4x4P (jcno.net)

价格:6000元/盒,4片/盒
jc@jcno.net
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