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Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S31

Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S31

·生长方法：CVD合成
·聚合物辅助转移
·芯片尺寸：10 mm x 10 mm
·切屑厚度：525μm
·每个芯片的通道数：30
·栅极氧化物厚度（EOT）：20 nm
·栅极氧化物材料：Al2O3
·介电击穿：>13kV/mm
·金属化：Au触点
·石墨烯场效应迁移率：>600 cm2/V.s
·狄拉克点：<5 V
·收益率：>75%
·最大栅源电压：±5V
·最高额定温度：150°C
·最大漏源电流密度：107A.cm-2

资料下载：Graphenea_GFET-S31 (jcno.net)

价格：6800元/片
jc@jcno.net
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