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Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20

石墨烯场效应晶体管芯片S20

·生长方法:CVD合成
·聚合物辅助转移
·芯片尺寸:10 mm x 10 mm
·切屑厚度:675μm
·每个芯片的GFET数量:12
·栅极氧化物厚度:90 nm
·栅极氧化物材料:SiO2
·衬底电阻率:1-10Ω.cm
·金属化:Au触点
·石墨烯场效应迁移率:>1000 cm2/V.s
·封装:50 nm Al2O3
·狄拉克点(背栅):±2V
·狄拉克点(液体门控):<1V
·最小工作装置:>75%
·最大栅源电压:±2V
·最高额定温度:150°C
·最大漏源电流密度:107A.cm-2

价格:4800元/片

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